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倒计时15天！第七届国际碳材料大会-碳化硅半导体论坛，11月1-2日，我们上海见！

时间：2023-10-16 【转载】来自：面包芯语

大会背景

半导体产业是支撑国民经济发展和保障国家信息安全的战略性、基础性和先导性产业，是新一代信息技术产业发展的核心。碳化硅半导体作为近年来迅速发展起来的新型半导体材料，凭借其超越硅的优异性能，引起了全球科技领域的广泛关注。其在新能源汽车、光伏、储能、轨道交通等前沿科技领域的应用，不仅开启了新的技术疆界，更是掀起了一场产业变革的浪潮。

然而，面对如此广阔的市场前景，碳化硅半导体的市场化进程却面临着一大挑战——良率问题。从晶体、衬底及外延的生长，到器件制备和封装，良率不足已经成为制约碳化硅半导体市场化应用的关键瓶颈。

面对这一挑战，Carbontech 2023碳化硅半导体论坛将汇集全球范围内的顶尖专家、学者以及行业巨头，聚焦碳化硅产业良率低下、设备国产化不足、协同能力差等痛点，共同探讨并研究解决方案，通过实现参会各方实质性的互联互通，加快推进碳化硅半导体的市场化应用进程！

活动组织

论坛规模：200人

论坛时间：2023年11月1日-11月3日

主办单位：DT新材料

承办单位：宁波德泰中研信息科技有限公司

支持单位：宽禁带半导体技术创新联盟、United Scientific Group

支持媒体：Carbontech、DT半导体、DT新材料、材视科技、碳化硅半导体材料、半导体器件、芯师爷、清新电源、大半导体、光伏见闻、半导体信息……

报告嘉宾

按姓氏首字母排序：

高远泰科天润半导体（北京）科技有限公司

应用测试中心总监

演讲题目：碳化硅功率器件测试：从研发到量产、从晶圆到应用

高远先生现任中国电工技术学会电力电子专业委员会委员及青年工程师工作组委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟产业导师、泰克科技电源功率器件领域外部专家。

主要从事功率半导体器件的特性测试、评估及应用的关键技术研究工作，致力于推进功率半导体器件教育在高等学校普及和推广先进功率器件在工业界应用。发表学术论文8篇，授权专利4项，出版专著《碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术》，收录于机械工业出版社“电力电子新技术系列图书”和“半导体与集成电路关键技术丛书”，并列入“十四五”国家重点出版物。

巩小亮，中国电科第48研究所半导体装备研究部主任

巩博士，任中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任，电科装备高级技术专家，长期从事第三代半导体关键装备攻关与产业化，重点致力于外延生长设备技术研究，主持国家重点研发计划、湖南省十大技术攻关等重大项目10余项，发表论文10余篇，授权发明专利6项，牵头制定行业标准2项，获国资委重大工程突出贡献个人、湖南省科技创新领军人才、CASA第三代半导体卓越创新青年、中国电科科学技术奖一等奖、中国电科“十大青年拔尖人才”等荣誉。

雷光寅复旦大学研究员

复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长

清纯半导体（宁波）有限公司首席科学家

演讲题目：碳化硅功率器件现状及小型化发展趋势

雷光寅博士，在2010年至2018年于美国福特汽车公司任研发工程师，负责混动汽车电机控制器硬件开发；2018年至2020年于上海蔚来汽车有限公司任电动力工程技术专家，负责基于碳化硅功率半导体的新能源汽车电驱动系统前瞻项目。长期从事功率半导体模块封装及新能源汽车电驱动系统开发，研究领域集中在新型封装材料开发；功率模块封装设计、工艺开发、可靠性及失效分析；混动及纯电驱动系统开发等。

发表高水平学术期刊论文30余篇，其中高引数量17篇；作为第一或合作发明人，至今共取得超过40项美国及中国发明专利。研究成果曾获得有着科技界“奥斯卡”奖之称的美国科学技术创新奖（R&D 100，2007年度）和2021年中国国际高新技术成果交易会优秀产品奖等奖项。

李金喜，厦门云天半导体市场总监

演讲题目：从先进封装到先进微系统集成

2006年毕业于华中科技大学电子系，先后在华润上华、昆山华天从事客户技术支持以及市场营销类工作。在半导体行业有着十余年的工作经验，对晶圆制造、封测以及模组产业有较为清晰的认知。从半导体产业链上下游角度来看，随着摩尔定律趋缓，先进封装扮演了越来越重要的角色，未来发展潜力巨大。基于此，2018年跟随于大全博士创立厦门云天半导体，目前主要负责云天的市场工作。

马彪上海澜芯半导体创始人兼总经理

演讲题目：SiC MOSFET设计的现状和挑战

马彪先生毕业于复旦大学，微电子硕士。拥有16年的功率半导体器件开发经验，同时也是华虹宏力半导体02专项1700V-6500超高压1GBT及FRD产品和工艺平开发项目"工艺开发技术负责人、积塔半导体临港厂MOSFET产品通线负责人、联合汽车电子功率芯片负责人。

上海澜芯半导体在马彪先生的带领下，运作不满1年，澜芯半导体1200V 80/60/40/30毫欧已经全部可送样，且80毫欧产品已经通过可靠性验证。

梅云辉天津工业大学教授博导

电气工程学院常务副院长

演讲题目：实现碳化硅器件直接水冷散热的大尺寸低温低压直连技术探索

梅云辉教授长期从事电力电子器件封装与可靠性研究，近年主持国家“优青”，天津市“杰青”，国家基金项目、国防预研项目、“慧眼行动”项目、航空基金、华为、蔚来汽车、汇川技术等企业合作项目逾30项，参与国家基金重点项目、863项目等。担任中国电源学会理事、元器件专委会副主任、专家咨询委员会副主任、IEEE Senior Member、《电源学报》编委、天津市电源学会副理事长等。已发表学术论文140余篇，其中SCI论文收录100篇，授权发明专利27件，曾获IEEE CPMT Young Award（电子封装学会优秀青年奖）、中国电源学会技术发明奖一等奖（第一完成人）、中国电工技术学会技术发明奖一等奖（第一完成人）、天津市技术发明奖一等奖（第二完成人）、教育部霍英东教育基金高等院校青年科技奖、电工技术—正泰科技奖、IEEE国际电力电子年会APEC Best Presentation Award、IEEE ICEPT Outstanding Paper Award、国家第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)“特别贡献奖”等。

宋庆文西安电子科技大学芜湖研究院副院长

宋庆文，山东临沂人，博士, 教授/博士生导师, 国家重点研发计划青年项目首席，华山学者领军教授,省级创新团队负责人。主要从事宽禁带半导体SiC器件和电路（功率芯片）物理模型、材料生长、关键工艺及可靠性的研究和人才培养，在SiC功率器件和电路结构设计和可靠性等方面取得了一些创新性成果，在国际上首次成功研发出皮秒级SiC基DAS器件；成功开发了SiC高压器件辐照加固技术；发明了多种高可靠性新型的4H-SiC基功率MOSFETs；突破了高稳定SiC金半接触工艺，实现了国际上首只600℃SiC基紫外探测器；实现600V~10kV/2A~200A SiC SBD、PiN、MOSFET、IGBT等器件的研制和产品开发；近年来主持或参与包括国家重点研发计划，国家自然科学、陕西省重点研发计划等二十余项，近年来在IEEE EDL, IEEE Trans. ED、IEEE TPEL等期刊发表学术论文80余篇，获国家授权专利50余项。

王德君大连理工大学教授博导

王德君，电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院教授，博士生导师。

吉林大学半导体专业本科、硕士，清华大学材料学博士，先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学。近年来指导研究生解决核心关键技术及理论问题多项，在国际顶级学术期刊发表学术论文数十篇，培养的研究生多次获得博士生优秀论文单项奖学金和国家优秀学生奖学金，深受业界欢迎。

王德君教授在SiC器件领域深耕二十余年，带领团队率先解决了栅氧缺陷分析和缺陷物理参数分离难题，形成了SiC MOS器件栅氧可靠性分析测试技术成套解决方案，目前已自研多台套科研型设备，为服务器件制造产业提供了强有力的支撑。

王蓉浙江大学杭州国际科创中心研究员

浙大杭州科创中心求是科创学者计划、青年人才卓越计划入选者

演讲题目：碳化硅单晶生长与衬底加工技术进展

王蓉博士致力于半导体碳化硅材料的掺杂和缺陷物理研究，围绕碳化硅单晶生长、衬底晶圆加工和同质外延过程中的缺陷物理开展了系列理论与实验研究。针对宽禁带半导体缺陷物理在PR Applied、APL等学术期刊上发表了60余篇SCI论文，并担任多项国际知名期刊的审稿人。拥有21项授权的国家发明专利和2项美国专利，其中5项专利已完成转让，产值超过3千万元。

王铮北京北方华创微电子装备有限公司

衬底材料行业总经理

演讲题目：坚定不移，以装备创新推动碳化硅产业高质量发展

王铮先生从事半导体行业近20年，涉足集成电路、功率半导体、MEMS、LED以及衬底材料等多个先进领域。目前在北方华创负责半导体衬底材料行业，是国内最早一批研究宽禁带半导体材料装备及工艺方案的资深专家。

杨霏国家电网公司全球能源互联网研究院功率半导体所

副总工程师兼工艺开发室主任

杨霏，博士，高级工程师（教授级），国家电网公司全球能源互联网研究院功率半导体所副总工程师兼工艺开发室主任，中关村高端领军人才。专注于碳化硅外延材料及高压电力电子器件研究，组建了包括外延材料、器件设计、器件工艺与测试的碳化硅高压器件研发团队，承担国家863项目1项，国家重点研发计划项目2项，北京市科委项目2项，国家电网公司科技项目8项，研制了1200V、1700V及3300V系列碳化硅二极管及3300V/600A混合模块，研制了1200V/20A碳化硅MOSFET并在30kW光伏逆变器中示范应用。目前正在研制35kV/5MW柔性变电站电力电子变压器示范工程应用的6.5kV碳化硅二极管与MOSFET，以及用于24kV换流阀功率单元的18kV碳化硅IGBT。主导制定团体标准2项，主持建立了全工艺的10kV高压碳化硅器件中试线，授权发明专利16项，译著2部。

尹志鹏，河北普兴电子科技股份有限公司产品总监

演讲题目：碳化硅外延技术及发展趋势

尹志鹏，大连理工大学微电子学与固体电子学博士，现任河北普兴电子科技股份有限公司产品总监，从事碳化硅同质外延相关工作及产品开发。

河北普兴电子科技股份有限公司是中电科半导体材料有限公司控股的股份制公司，成立于2000年11月，是国家认定的高新技术和集成电路生产企业，致力于高性能半导体材料的外延研发和生产。公司已通过ISO9001、TS16949质量管理体系认证，ISO14001、ISO45001环境和职业健康安全管理体系认证。主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓和碳化硅外延片。客户遍布中国大陆、港台地区，以及美国、日本、韩国、俄罗斯、印度等国际市场，在国内外市场享有较高的声誉。

张胜涛，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院技术总监

演讲题目：科友8英寸碳化硅衬底产业化发展

哈尔滨工业大学博士、助理教授，化学工程与技术学科，新能源材料与器件方向，2021年获黑龙江省科学技术进步一等奖，2022年入选哈尔滨市科技创新人才。2018年4月-至今，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司研发部总监，负责碳化硅晶体生长与缺陷控制研究。张胜涛博士长期致力于宽禁带半导体碳化硅装备开发、热场仿真设计及单晶缺陷控制研究，推动大尺寸国产碳化硅材料产业化工作，主持或参与国家重点研发计划、省重大科技成果转化项目、省自然科学基金、省头雁团队项目、市重大科技专项等国家省市重点项目多项。在研发过程中取得了一系列原创成果，目前已发表半导体领域高水平论文8篇，其中SCI索引期刊6篇，授权专利10余项，参编国家标准1项，企业标准多项。

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